碳化硅（SiC）是一種具有卓越性能的半導體材料，是瑞典科學家Jacob Berzelius在1824年發現的。普通的碳化硅材料可用于制作電熱元件硅碳棒，還可用來提高金屬件的耐磨性，也可作為脫氧劑。
SiC MOS管也具有高擊穿場強和高工作溫度
在半導體領域，SiC材料憑借良好的熱導率、較高的禁帶寬度得到了業界高度重視。熱導率比Si材料高意味著電流密度也較高，高禁帶寬度決定了SiC MOS管也具有高擊穿場強和高工作溫度。SiC MOS管優點可以概括如下。
高阻斷電壓
與應用廣泛的Si材料相比，SiC的擊穿場強是Si材料的10倍以上，SiC MOS管器件的阻斷電壓比Si MOS管器件高很多。
開關速度快
SiC的熱導系數幾乎是Si材料的2.5倍，飽和電子漂移率是Si的2倍，所以SiC器件能在更高的頻率下工作。
導通損耗小
由于半導體器件的導通損耗與擊穿場強成反比，對于同樣的功率等級考量，SiC MOS管器件的導通損耗比Si器件小很多。另外，SiC MOS管器件導通損耗對溫度的依存度很小，其導通損耗隨溫度的變化也要小很多，所以SiC MOS管與傳統Si器件之間的差別非常大。
能承受更高的溫度
在物理特性上，SiC晶體結構高度穩定，能帶寬度可達2.2-3.3eV，這個數字幾乎是Si材料的兩倍以上。一般而言，SiC所能承受的溫度更高，SiC MOS管所能達到的最大工作溫度可到600攝氏度以上。
SiC MOS管器件損耗比傳統器件小10倍多
通過上述介紹，在相同的功率等級下，使用SiC MOS管器件的電子系統設備BOM清單中的功率器件數量將大大減少，所采用的散熱器、濾波元件的體積也縮小了很多，而系統的效率也有大幅度提升。
由于與Si MOS管有較大差別，設計SiC MOS管驅動電路也是一項挑戰。相比于Si器件，SiC MOS管的寄生電容更小（大小相差超過十倍），對驅動電路的寄生參數更敏感，設計中必須足夠重視。目前，已經量產的SiC MOS管的驅動電壓范圍為-5V~+25V，而傳統的Si器件的驅動電壓為-30V~+30V。
因此，SiC MOS管器件的安全閾值很小，如果電路出現一個電壓尖峰很可能擊穿G-S之間的氧化層，使器件損壞。另外，SiC MOS管的價格同比貴了不少，這限制了它在一般用途中的應用。
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