在幾乎所有的工業(yè)控制系統(tǒng)中，變頻器(VFD)/逆變器通常安裝在電機的前端，以便調節(jié)速度和節(jié)約能源。根據不同的輸入電壓要求，逆變器通常分為低壓(110V、220V、380V等)、中壓(690V、1140V、2300V等)和高壓(3kV、3.3kV、6kV、6.6kV、10kV等)。
由于變頻器/逆變器是提供電力的關鍵組件，因此其性能和可靠性對于不間斷電源是至關重要的。本操作說明書重點介紹在惡劣條件下也能確保VFD可靠性和正常工作的TVS二極管。
圖1 帶有保護組件的典型三相變頻器/逆變器拓撲結構
圖1中，橙色方框突出顯示用于過流或短路保護的交流線路熔斷器。欲了解如何選擇熔斷器的詳細信息，請參閱“Littelfuse熔斷器選擇指南”。藍色方框標識了用于防止由于雷擊或電源諧波電壓中斷的瞬態(tài)抑制器。金屬氧化物壓敏電阻(MOV)因其鉗位特性和高功率容量而被廣泛使用。所需的MOV額定值將取決于預期的浪涌電流水平和交流電路拓撲結構。例如，如圖1所示，如果連接交流380V電源，為了滿足3kA(8 /20μs處)的雷擊浪涌要求，可采用三個V20E250P(250V)UltraMOV®高浪涌電流徑向引線式壓敏電阻進行線對線(差模)保護，單個V20E550P(550V)UltraMOV高浪涌電流徑向引線式壓敏電阻可用于線對地(共模)保護。三個MOV以星形連接并與另一個對地MOV分開將增強線到線和線對地保護。
選擇MOV時，鉗位電壓也必須加以考慮。對于這種情況，當兩個串聯(lián)的V20E250P壓敏電阻提供差動保護時，其合成鉗位電壓約為1400V。對于整流二極管、電容器和IGBT(絕緣柵雙極晶體管)，額定電壓應大于這個值，以便為整個系統(tǒng)提供足夠的電壓保護。
有時，為整個系統(tǒng)提供電壓保護可能是非常困難的，特別是對于600V或更高的高電力線電壓應用。對于這些情況，Littelfuse提出了額外的(或次級)高功率TVS二極管提供準確的低電壓鉗位能力，為整流二極管、電容器和IGBT提供差模保護。
圖2 帶有TVS二極管的380V三相變頻器 /逆變器拓撲結構
如圖2中的粉紅色方框所示，可以添加兩個AK3-380C TVS二極管，以在最大3kA(8 /20μs處)浪涌電流期間提供差模保護。AK3-380是一款額定電壓為3kA(8 /20μs處)的雙向高功率TVS二極管，斷態(tài)電壓為380V。兩個AK3-380C TVS二極管的最大鉗位電壓是1040V，遠遠低于MOV的最大鉗位電壓。因此，它們可以為6單元IGBT提供極好的浪涌保護，同時保持電路處于正常工作狀態(tài)。這些TVS二極管為設計人員選擇整流二極管和IGBT提供了更大靈活性。
現(xiàn)在，我們再重新看看圖1。紅色方框突出了交直流整流二極管。綠色方框標識直流母線過壓的制動斬波器電路(請查閱IGBT制造商的操作說明書，以根據相關指南選擇這些器件的合適型號)。紫色方框顯示用于負載供電的IGBT橋式交直流逆變器。
1 IGBT保護
IGBT兼具功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點。它在高頻率工作，驅動和斷開都非常簡便;然而，它也有一個缺點。通常情況下，兩個部分均需要進行保護以實現(xiàn)穩(wěn)健的設計：
• 由于柵極是MOS結構，所以很容易被靜電放電(ESD)、電快速瞬變(EFT)或密勒效應引起的過電壓損壞。
• 在高功率/大電流應用中，器件斷開時，IGBT端子C和端子E可能發(fā)生高壓浪涌。
由于密勒電容((CGC)的存在，當通過脈沖開關信號驅動IGBT的柵極時，會產生很高的過壓，從而損壞IGBT的柵極。為了在過壓事件中保護柵極，通常會使用一個雙向600W TVS二極管，如圖3所示。例如，在一個通常需要+ 15V偏壓才能開啟器件以及需要-15V偏壓才能將其斷開的應用中，可使用SMBJ16CA瞬態(tài)抑制二極管，有助于確保電壓保持低于±20V的最大VGE。SMBJ16CA TVS二極管的VBR約為17.8?19.7V，低于20V的最大值。在某些情況下，當IGBT由單極驅動器驅動時，應使用單向TVS SMBJ16A TVS二極管。
圖3 IGBT柵極保護
有源鉗位是一種可在IGBT關斷時使瞬態(tài)過壓保持低于臨界極限的技術。如圖4所示，有源鉗位的標準方法是使用連接在輔助集電極和IGBT柵極之間的TVS二極管。當集電極 - 發(fā)射極電壓超過TVS二極管擊穿電壓時，TVS二極管開始導通，這個電流加起來即為IGBT驅動器輸出電流的值并導致柵極 - 發(fā)射極電壓增加。因此，IGBT仍處于有源模式，關斷過程延長。增加有源鉗位TVS二極管，會減慢IGBT集電極電流的變化率，從而限制電壓過沖并降低IGBT關斷過壓ΔVCE。因此，TVS二極管串聯(lián)鉗位過沖電壓特別適用于VCE超過1200V的高壓IGBT。
多年來有源鉗位已廣泛使用于在關斷事件期間限制IGBT的集電極 - 發(fā)射極電壓。當IGBT的集電極 - 發(fā)射極電壓超過預先設定的閾值時，IGBT部分導通。然后，IGBT在線性工作中保持，從而減小集電極電流的下降速率，由此降低集電極 - 發(fā)射極過壓(參見圖5中實線，較小斜率的IC、較長的VGE和VCE的鉗位值) 。
但是，如果在關斷期間沒有實施在IGBT集電極的TVS二極管對柵極關斷，則VGE的關斷將導致集電極和柵極兩端的電壓突然升到太高的水平，這種情況會造成IGBT故障(見圖5中的虛線)。
圖4 有源鉗位功能
如圖5所示，隨著添加有源鉗位電路后，VGE浪涌電壓下降。但是，設計師如何才能計算出提供這種浪涌保護所需的TVS二極管的數(shù)量呢? 以下示例可能對您有所幫助。
圖5 浪涌電壓比較
如圖6所示，IGBT的1300V浪涌電壓有0.5μs的浪涌時間和0.5ms的間隔時間。
圖6 浪涌電壓波形
正常情況下，對于1200V的IGBT保護電壓，直流工作電壓小于600V，所以選用800V(VBR?900V)的TVS二極管組合是可以接受的。不妨假設這個1300V的浪涌電壓在TVS二極管中會產生5A的浪涌電流 (產生的電流水平還取決于RGE和R的值)。
下面的公式可以用來粗略地估計浪涌脈沖功率水平：
平均 PD=VBR×IPP×tP/T=900×5×0.5/500=4.5W
就這個例子而言，可以使用SMCJ TVS二極管，因為它具有RΘJA75°C/W的熱阻抗，所以如果該電機在50°C的環(huán)境最大值下工作，那么每個SMCJ容許的最大功率是(150-50)/75=1.33W。
所需TVS二極管數(shù)量將通過計算4.5 / 1.33 = 3.38pcs來確定，所以至少應有四個TVS二極管進行串聯(lián)以獲得足夠的余量。每個TVS VBR應該共享900/4 = 225V。結果，在這種情況下建議使用四個1.5SMC220A TVS二極管。注意，TVS系列的選擇也是基于R和RGE的實際值。實際工作條件下也可使用較低額定值的瞬態(tài)抑制二極管(如SMAJ或SMBJ等)。
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