晶體三極管選用技巧
必須了解晶體管的類型和材料，常用的有NPN和PNP兩種，這兩種管工作時對電壓的極性要求不同，所以是這兩種晶體管是不能互相替換的。三極管額材料有鍺材料和硅材料，它們之前最大的差異就是其實電壓不一樣。
在放大電路中，假如使用同類型的鍺管代替同類型的硅管，反之替換，一般都是可以的，但都要在基極偏置電壓上進行必要的調(diào)整。因為他們的起始電壓不一樣，但是在脈沖電路和開關(guān)電路中不同材料的三極管是否能互換必須進行具體的分析，切不可盲目代換。
選取場效應(yīng)管只要三步：
1、選擇合適的溝道（N溝道還是P溝道）
2、確定場效應(yīng)管的額定電流，選好額定電流以后，還需計算導通損耗。
3、確定熱要求，設(shè)計人員在設(shè)計時必須考慮到最壞和真實兩種情況。一般建議采用針對最壞的結(jié)果計算，因為這個結(jié)果提供更大的安全余量，能夠確保系統(tǒng)不會失效。
教你如何選擇場效應(yīng)管與三極管
隨著電子設(shè)備升級換代的速度，大家對于電子設(shè)備性能的標準也愈來愈高，在某些電子設(shè)備的電路設(shè)計與研發(fā)中，不僅是開關(guān)電源電路中，也有在攜帶式電子設(shè)備的電路中都是會運用到性能更好的電子元器件 — 場效應(yīng)晶體管。
因此正確挑選場效應(yīng)晶體管是硬件工程師常常碰到的難點之一，也是極其重要的一個環(huán)節(jié)，場效應(yīng)晶體管的挑選，有可能直接影響到一整塊集成運放的速率和制造費，挑選場效應(yīng)晶體管，可以從下列六大技巧下手。
（一）溝道類型
挑選好場效應(yīng)晶體管電子元件的第一步是取決選用N溝道或是P溝道場效應(yīng)晶體管。在典型的功率使用中，當一個場效應(yīng)晶體管接地，而負載接入到干線電壓上時，該場效應(yīng)晶體管就組成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中，應(yīng)選用N溝道場效應(yīng)晶體管，它是出自于對關(guān)閉或?qū)娮釉妷旱目紤]。當場效應(yīng)晶體管接入到總線及負載接地時，就需要用高壓側(cè)開關(guān)。一般會在這一拓撲中選用P溝道場效應(yīng)晶體管，這又是出于對電壓驅(qū)動的考慮。
（二）額定電壓
明確需用的額定電壓，或是電子元件能夠承載的最高電壓。額定電壓越大，電子元件的成本就越高。按照實踐證明，額定電壓應(yīng)該高于干線電壓或總線電壓。這樣才可以提供足夠的保護，使場效應(yīng)晶體管不會失靈。
就挑選場效應(yīng)晶體管來講，務(wù)必明確漏極至源極間將會承載的最高電壓，即最大VDS。了解場效應(yīng)晶體管能承載的最高電壓會隨溫度而變動這點非常關(guān)鍵。我們須在整個操作溫度范圍內(nèi)檢測電壓的變動范圍。額定電壓一定要有足夠的余量覆蓋這一變動范圍，保障電路不會無效。
需要考慮的其它安全因素包含由開關(guān)電子產(chǎn)品（如電機或變壓器）引起的電壓瞬變。不同使用的額定電壓也各有不同，一般來說，便攜式設(shè)備為20V、FPGA電源為20～30V、85～220VAC應(yīng)用為450～600V。
（三）額定電流
該額定電流應(yīng)是負載在全部狀態(tài)下可以承載的最高電流。與電壓的情形類似，保證選定的場效應(yīng)晶體管能經(jīng)受這一額定電流，即便在系統(tǒng)造成尖峰電流時。兩個考慮的電流情形是持續(xù)模式和脈沖尖峰。在持續(xù)導通模式下，場效應(yīng)晶體管處在穩(wěn)態(tài)，這時電流持續(xù)通過電子元件。脈沖尖峰指的是有大量電涌（或尖峰電流）流經(jīng)電子元件。一旦明確了這些條件下的最高電流，只需直接挑選能承載這個最高電流的電子元件便可。
（四）導通損耗
在實際情況下，場效應(yīng)晶體管并不一定是理想的電子元件，歸因于在導電過程中會有電能消耗，這叫做導通損耗。場效應(yīng)晶體管在“導通”時好比一個可變電阻，由電子元件的RDS（ON）所確認，并隨溫度而明顯變動。
電子元件的功率損耗可由Iload2×RDS（ON）估算，因為導通電阻隨溫度變動，因而功率損耗也會隨著按占比變動。對場效應(yīng)晶體管施加的電壓VGS越高，RDS（ON）就會越小；反之RDS（ON）就會越高。注意RDS（ON）電阻會隨著電流輕微升高。關(guān)于RDS（ON）電阻的各類電氣叁數(shù)變動可在生產(chǎn)商出示的技術(shù)資料表里得知。
（五）系統(tǒng)散熱
須考慮二種不一樣的情況，即最壞情況和具體情況。提議選用針對最壞情況的計算結(jié)果，由于這一結(jié)論提供更大的安全余量，能確保系統(tǒng)不易失靈。在場效應(yīng)晶體管的材料表上還有一些必須留意的測量數(shù)據(jù)，電子元件的結(jié)溫相當于最大環(huán)境溫度再加熱阻與功率耗散的乘積（結(jié)溫=最大環(huán)境溫度+［熱阻×功率耗散］）。
依據(jù)這個式子可解出系統(tǒng)的最大功率損耗，即按定義相當于I2×RDS（ON）。我們已即將通過電子元件的最大電流，能夠估算出不同溫度下的RDS（ON）。此外，也要搞好電路板以及場效應(yīng)晶體管的散熱。
雪崩擊穿指的是半導體器件上的反向電壓超出最高值，并產(chǎn)生強電場使電子元件內(nèi)電流增加。晶片尺寸的增加會增強抗雪崩能力，最后提高電子元件的穩(wěn)健性。因而挑選更大的封裝件能夠有效避免雪崩。
（六）開關(guān)性能
影響開關(guān)性能的叁數(shù)有好多，但最關(guān)鍵的是柵極/漏極、柵極/源極及漏極/源極電容。這些電容會在電子元件中產(chǎn)生開關(guān)損耗，因為在每一次開關(guān)時都要對它們充電。場效應(yīng)晶體管的開關(guān)速度因而被減少，電子元件效率也降低。為計算開關(guān)過程中電子元件的總耗損，要計算開通過程中的耗損（Eon）和關(guān)閉過程中的耗損（Eoff）。
場效應(yīng)晶體管開關(guān)的總功率可用如下方程表達：Psw=（Eon+Eoff）×開關(guān)頻率。而柵極電荷（Qgd）對開關(guān)性能的影響最大。
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