（一）IGBT
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由晶體三極管和MOS管組成的復合型半導體器件。
IGBT作為新型電子半導體器件，具有輸入阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電子電路中獲得極廣泛的應(yīng)用。
IGBT是電壓控制電流，可是說是集成塊三極管和場效應(yīng)管的優(yōu)點的一種器件，它利用電壓來控制PN結(jié)，在大電流應(yīng)用比較廣泛，因此比較適合強電開關(guān)，強電功率使用，例如變頻器、逆變器、電力控制系統(tǒng)等，很多場合以IGBT作為逆變器件，工作電流3000kVA以上，頻率達25kHz以上。如下圖是直流電機驅(qū)動主電路。
（二）場效應(yīng)管
場效應(yīng)管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管）。
MOSFET又可分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。
場效應(yīng)管是電壓控制器件，它是繼三極管之后的新一代放大元件，場效應(yīng)晶體管可分為耗盡型效應(yīng)晶體管和增強型效應(yīng)晶體管，同時又有N溝道和P溝耗盡型之分。
場效應(yīng)管一般用于開關(guān)作用，有開關(guān)用以及有功率用。特別是電機、開關(guān)電源等，應(yīng)用場合一般都是出現(xiàn)在需要耐壓高、耐電流大、頻率特性高的時候。
（三）三極管
三極管是一種電流控制體器件，它的主要作用是把微弱信號放大，輸入阻抗低，例如在基極b給一個很小的電流Ib，在集電極c上得到一個比較大的電流Ic。
它是電流放大器件，但是在實際時候通常通過一個電阻將三極管的電流放大作用轉(zhuǎn)變?yōu)殡妷悍糯笞饔茫虼耍灰娐穮?shù)設(shè)置合適，一般輸出電壓可以比輸入電壓高很多倍。它有三個工作狀態(tài)：截止狀態(tài)、放大狀態(tài)、飽和狀態(tài)。三極管一般是弱電中使用，而且出現(xiàn)在開關(guān)作用、電流放大作用，例如蜂鳴器驅(qū)動、數(shù)碼管驅(qū)動、直流小風扇驅(qū)動等方面。
（1）三極管驅(qū)動數(shù)碼管
如果由于單片機I/O口驅(qū)動能力有限，可以加三極管擴大驅(qū)動電流
（2）三極管驅(qū)動蜂鳴器
聯(lián)系與區(qū)別
（1）三極管是電流控制器件、而場效應(yīng)管和IGBT是電壓驅(qū)動器件。三極管特點是能夠?qū)㈦娏鞣糯螅瑘鲂?yīng)管特點是噪聲小、功耗低、沒有二次擊穿現(xiàn)象等，IGBT特點是高耐壓、導通壓降低、開關(guān)速度快等；
（2）三者都可以作為電子開關(guān)用，三極管一般是小型開關(guān)、信號放大場合應(yīng)用，如果對于信號源需要更多的電流時候可以采用三極管，否則就用場效應(yīng)管，而IGBT更適合于大電流、大電壓的電力系統(tǒng)，它是電力電子重要的大功率主流器件之一。
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