分析之前，需要對PN節相關的半導體知識，明白擴散運動與漂移運動的形成原因，明白多子與少子、空穴與電子的概念，針對清華大學華成英老師教材課件，最終形成如下分析：
N（negative）區的多子為電子，P（Positive）區的多子為空穴；
三極管發射區（即E區，為N區）多子（電子）濃度高，基區（即B區，為P區）薄則多子（空穴）濃度低，集電區面積大；
當發射結正偏時(即B區電位高于E區電位)，此時發射結兩側P區和N區進行擴散運動，擴散運動由多子的運動引起，則發射區電子從發射區擴散至基區，基區空穴從基區擴散至發射區，由于電子濃度遠大于空穴，則基區與空穴復合的電子數量極少，此時基區存在大量自由電子；
此時應思考，最終目的是保證基區的自由電子最終達到集電區，使三極管集電區和發射區導通：從基區到發射區的電子運動，基區為P區，電子為少子，為實現少子漂移運動，則應將集電結反偏（即C區電位高于B區電位），此時基區大量的從發射區擴散而來的自由電子漂移至集電區；
電場方向與電子運動方向相反，則此時集電區與發射區導通，滿足放大條件。
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