MOS管電平轉換電路
在電路開發的過程中，經常遇到兩個系統電平不一致的情況，這時候如果兩個系統需要通信，就需要進行電平轉換也就是level shifting，如果通信線比較多或者有其他特殊需求，可以選用集成的level shifting芯片進行設計，電路設計復雜度低，但是成本比較高。如果只有一兩路信號，我們可以選用mos進行電平轉換，造價比較低。
芯片選型及原理圖
下面以1.8V和3.3V電平為例。需要注意的幾個參數為，導通電阻，開關速度，打開門限電壓等，此mos相關參數如下：
MOS管電平轉換-原理圖如下：
原理圖分析
1.從1.8V到3.3V（從左到右）
a. IO_1.8為高電平時，MOS關斷，此時IO_3.3為高電平
b. IO_1.8為低電平時，Vgs = 1.8V>Vgs(th), 此時MOS導通，IO_3.3被拉低，為低電平
c. IO_1.8為高阻態時，MOS關斷，IO_3.3為高電平
2.從右到左
a. IO_3.3為高電平，MOS關斷，IO_1.8為高電平
b. IO_3.3為低電平，由于體二極管的存在，MOS管s端會被拉低從而MOS導通，IO_1.8被拉低
c. IO_3.3為高阻態，MOS關斷，IO_1.8為高電平
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