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50N10,50N10場(chǎng)效應(yīng)管,MOS管50N10參數(shù),50N10封裝DFN5*6
  • 發(fā)布時(shí)間:2023-07-06 20:31:53
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50N10,50N10場(chǎng)效應(yīng)管,MOS管50N10參數(shù),50N10封裝DFN5*6
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50N10
50N10 DFN5*6參數(shù)封裝:點(diǎn)擊查看50N10
50N10封裝有DFN5*6/TO-252/TO-220/TO-220F
50N10場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)如下:
50N10
 
極性:NPN
Drain-Source Voltage 漏源電壓Vds:100V
Gate-Source Voltage 柵源電壓Vgs:±20V
Continuous Drain Current 漏極電流Id Tc=25℃:50A
Continuous Drain Current 漏極電流Id Tc=100℃:29A
Power Dissipation 功率損耗Pd:71.4W
Static Drain-Source On-Resistance 內(nèi)阻ID=20A,VGS=10V:Typ:12mΩ Max 17mΩ
Junction and Storage Temperature Range 溫度范圍:-55~+150℃
50N10場(chǎng)效應(yīng)管DFN5*6封裝尺寸:
50N10
50N10場(chǎng)效應(yīng)管TO-252封裝尺寸:
50N10
50N10場(chǎng)效應(yīng)管TO-220封裝尺寸:
50N10
50N10場(chǎng)效應(yīng)管TO-220F封裝尺寸:
50N10
 
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