MOS管的閾值電壓
具體定義（以下圖NMOS為例）：當(dāng)柵源電壓（Vgs）由0逐漸增大，直到MOS管溝道形成反型層（圖中的三角形）所需要的電壓為閾值電壓。
閾值電壓（Gate-source threshold voltage，VGS(th)）是MOSFET的重要參數(shù)之一，因?yàn)樗鼪Q定著器件的性能和應(yīng)用范團(tuán)。閾值電壓Vth定義為可以在源極和漏極之間形成導(dǎo)電溝道的最小柵極偏壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。
VGS(th)開(kāi)啟電壓（閾值電壓），當(dāng)外加?xùn)艠O控制電壓超過(guò)VGS(th)時(shí)，漏區(qū)和源區(qū)形成了溝道。測(cè)試時(shí)，通常一定VDS條件下，漏極電壓ID等于某一值時(shí)的柵極電壓稱(chēng)為開(kāi)啟電壓。
mos管的閾值電壓公式
MOSFET的閾值電壓：
對(duì)于金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），其閾值電壓可以通過(guò)以下公式計(jì)算：
Vth = Vt0 + γ(√|2φF + Vsb| - √|2φF|)
其中，Vth為閾值電壓，Vt0為零偏電壓，γ為衰減系數(shù)，φF為內(nèi)建電勢(shì)，Vsb為源極與基極之間的電壓。
BJT的閾值電壓： 對(duì)于雙極型晶體管（BJT），其閾值電壓可以通過(guò)以下公式計(jì)算：
Vth = Vbe_on - (KT/q) * ln(Ic/Is)
其中，Vth為閾值電壓，Vbe_on為基極-發(fā)射極的正向電壓，KT為玻爾茲曼常數(shù)乘以溫度，q為電子電荷，Ic為集電極電流，Is為發(fā)射極飽和電流。
需要注意的是，不同類(lèi)型的半導(dǎo)體器件和不同的制造工藝可能會(huì)有不同的閾值電壓計(jì)算公式。在實(shí)際應(yīng)用中，需要參考器件的數(shù)據(jù)手冊(cè)和相關(guān)文獻(xiàn)，以獲取準(zhǔn)確的閾值電壓計(jì)算方法。
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