壓敏電阻（英文名稱“Voltage Dependent Resistor”簡寫為“VDR”）是一種具有非線性伏安特性的電阻器件，主要用于在電路承受過壓時進行電壓鉗位，吸收多余的電流以保護敏感器件。
壓敏電阻器的電阻體材料是半導體，是半導體電阻器的一個品種。
壓敏電阻的工作原理
VI特性曲線類似于齊納二極管，當壓敏電阻上的電壓增加到高于鉗位電壓時，電流突然增加。處于非導通狀態(tài)的任何壓敏電阻均具有電容，該電容與半導體本體的面積成比例并且與其厚度成反比。
當加在壓敏電阻上的電壓低于它的閾值時，流過它的電流極小，它相當于一個阻值無窮大的電阻。也就是說，當加在它上面的電壓低于其閾值時，它相當于一個斷開狀態(tài)的開關。
當加在壓敏電阻上的電壓超過它的閾值時，流過它的電流激增，它相當于阻值無窮小的電阻。也就是說，當加在它上面的電壓高于其閾值時，它相當于一個閉合狀態(tài)的開關。
壓敏電阻符號
在早期，壓敏電阻表示為兩個彼此反平行放置的二極管，如圖所示，因為它在兩個電流方向上都具有類似二極管的特性。但是，現(xiàn)在該符號用于DIAC。在現(xiàn)代電路中，壓敏電阻的符號如下所示。
壓敏電阻是如何幫助抑制電路中的瞬態(tài)電壓？理解這一點，首先要了解電壓瞬變的來源。
電壓和電源瞬態(tài)電壓的來源無論是從交流電源還是直流電源工作，都是因為它們來自電路本身，或者來自任何外部電源。這些瞬變導致電壓增加到幾千伏，這可能證明電路是災難性的。
因此，需要抑制這些電壓瞬變。
由感應線圈，變壓器磁化電流和其他直流電動機開關應用的切換引起的L（di / dt）效應是最常見的電壓瞬變源。
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