以Ntype MOS晶體管為例，探討MOS管的工作原理。
放大作用的實(shí)質(zhì)是控制作用，為探究柵極電壓對(duì)溝道的控制作用，先將源極(s)、漏極(d)、襯底連接起來(lái)，并在柵極(g)和源極之間加上電壓，如圖一所示。
在加了上述電壓之后，由于源極和襯底相連，相當(dāng)于在柵極和襯底之間加上了電壓，就會(huì)形成如圖二所示的電場(chǎng)，當(dāng)電壓較小時(shí)，不會(huì)對(duì)晶體管產(chǎn)生明顯影響。
逐漸增大電壓，當(dāng)電壓增大到某個(gè)值時(shí)(開啟電壓Vt)，絕緣層下方的載流子空穴將被排斥，而絕緣層下方和兩個(gè)N型區(qū)的載流子將被吸引。
這樣，在源極和漏極之間就出現(xiàn)了一個(gè)由載流子(此處為電子)構(gòu)成的N型層，這就是源極和漏極之間的導(dǎo)電溝道。該導(dǎo)電溝道在電場(chǎng)的作用下形成，場(chǎng)效應(yīng)管因此得名。
當(dāng)柵極電壓增大時(shí)，導(dǎo)電溝道變寬，對(duì)應(yīng)的等效電阻變小;柵極電壓減小時(shí)，導(dǎo)電溝道變窄，對(duì)應(yīng)的等效電阻變大。
如圖五所示，當(dāng)源極與襯底之間有一個(gè)電壓Vsb時(shí)，此時(shí)需滿足Vgs + Vsb > Vt才會(huì)產(chǎn)生導(dǎo)電溝道，第8講中Vgs其實(shí)是默認(rèn)源極和襯底之間直接相連，即無(wú)電壓的情況。
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