MOS管分為結(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）因有兩個PN結(jié)而得名，絕緣柵型場效應(yīng)管（JGFET）則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。但按導(dǎo)電方式來劃分，場效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強(qiáng)型。
不同之處：結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的。
耗盡型：即在0柵偏壓時就能夠?qū)щ姷钠骷褪钦f耗盡型MOS管在G端( Gate )不加電壓時就有導(dǎo)電溝道存在。
增強(qiáng)型：即在0柵偏壓時是不導(dǎo)電的器件，只有當(dāng)柵極電壓的大于其閾值電壓時才能出現(xiàn)導(dǎo)電溝道的場效應(yīng)管，也就是說增強(qiáng)型MOS管只有在開啟后，才會出現(xiàn)導(dǎo)電溝道。
工作原理：
耗盡型：當(dāng)VGS=0時即形成溝道，加上正確的VGS時，能使多數(shù)載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉(zhuǎn)向截止。即：耗盡型MOS管的VGS (柵極電壓)可以用正、零負(fù)電壓控制導(dǎo)通。
增強(qiáng)型：當(dāng)VGS=0時管子是呈截止?fàn)顟B(tài)，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而“增強(qiáng)”了該區(qū)域的載流子，形成導(dǎo)電溝道。即：增強(qiáng)型MOS管必須使得VGS>VGS (th) (柵極閾值電壓)能導(dǎo)通。
耗盡型MOS管結(jié)構(gòu)
①以低摻雜的P型硅片為襯底
②利用擴(kuò)散工藝制作兩個高摻雜的N+區(qū)，并引出兩個電極，分別為源極s，漏極d
③在半導(dǎo)體上制作一層SiO2絕緣層，在SiO2上制作一層金屬鋁，引出電極，作為柵極g
④在SiO2絕緣層中摻入大量正離子，那么即使Ugs=0,在正離子作用下，P襯底的表面會有電子匯聚，也會形成反型層，造成漏-源之間存在導(dǎo)電溝道。
⑤只要在d-s之間加電壓，就會產(chǎn)生漏極電流。 (Ugs＞Ugs(off))
⑥Ugs為正時，反型層變寬，導(dǎo)電溝道電阻降低
⑦當(dāng)Ugs從零減小到一定值時，反型層消失，漏-源之間的導(dǎo)電溝道消失，此時Ugs稱為夾斷電壓Ugs(off)
⑧Ugs可以在正、負(fù)值得一定范圍內(nèi)實現(xiàn)對id的控制，且任然保持柵-源之間的絕緣電阻。
兩類耗盡型MOS管
通過導(dǎo)電溝道所帶電荷判斷(箭頭所指的就是N溝道)
導(dǎo)電溝道為N則為N溝道耗盡型MOS管
導(dǎo)電溝道為P則為P溝道耗盡型MOS管
耗盡型功率MOS管用途
固態(tài)繼電器
如圖所示，耗盡型MOSFET在實現(xiàn)以固態(tài)繼電器（SSR）取代機(jī)械繼電器（EMR）的負(fù)載開關(guān)方面表現(xiàn)出色。固態(tài)繼電器的主要優(yōu)點是不受磁場影響，由于沒有機(jī)械觸點而具有更高的可靠性，并且節(jié)省了PCB占用空間。醫(yī)療設(shè)備、工業(yè)自動化、測量和測試設(shè)備以及消費電子等應(yīng)用都廣泛使用固態(tài)繼電器。
開關(guān)型電源的啟動電路 - SMPS
SMPS傳統(tǒng)啟動電路方法是通過功率電阻和齊納二極管。在這種方法中，即使在啟動階段之后，功率電阻也會持續(xù)消耗功率，這導(dǎo)致PCB上的熱量過高，工作效率低下，以及SMPS輸入工作電壓范圍受到限制。可以采用基于耗盡型MOSFET的方法來替代，如圖所示。
耗盡型MOSFET提供PWM IC所需的初始電流以啟動運(yùn)作。在啟動階段之后，輔助繞組將生成PWM IC所需的功率。在正常運(yùn)行期間，耗盡型MOSFET由于靜態(tài)電流較低，因而所消耗的功率最少。
這種方法的主要優(yōu)勢是在啟動序列操作之后的功耗理論值為零，從而提高了整體效率。此外，所占用的PCB面積更小，并可實現(xiàn)寬泛的直流輸入電壓范圍，這對許多應(yīng)用（如太陽能逆變器）是至關(guān)重要的。
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