MOS管驅(qū)動(dòng)電壓越高越好嗎?
MOS管驅(qū)動(dòng)電壓是不是越高越好，分兩方面分析，首先驅(qū)動(dòng)電壓低，意味著我們在開關(guān)MOS時(shí)產(chǎn)生的開關(guān)損耗比較小，特別是在一些高頻應(yīng)用中。
但是另一方面，在一些使用MOS進(jìn)行大電流開關(guān)應(yīng)用的場合中，由于電流比較大，此時(shí)MOS由于Rds導(dǎo)通內(nèi)阻的存在，會導(dǎo)致MOS發(fā)熱比較嚴(yán)重，為了減小MOS管的發(fā)熱，我們一般通過提高Gate驅(qū)動(dòng)電壓來降低MOS管的Rds導(dǎo)通內(nèi)阻，從而降低發(fā)熱。
我們都知道MOS管由于GS,GD寄生電容的存在導(dǎo)致MOS管存在一個(gè)平臺電壓，所以驅(qū)動(dòng)電壓至少應(yīng)大于平臺電壓，使得MOS管工作在飽和區(qū)。
MOS管驅(qū)動(dòng)電壓最大是多少？
過驅(qū)動(dòng)電壓Vod=Vgs-Vth?？梢岳斫鉃椋撼^驅(qū)動(dòng)門限（Vth）的剩余電壓大小。
1)只有在過驅(qū)動(dòng)電壓“大于零”的情況下，溝道才會形成，MOS管才會工作。也就是說，能夠使用過驅(qū)動(dòng)電壓來判斷晶體管是否導(dǎo)通。
2）溝道電荷多少直接與過驅(qū)動(dòng)電壓二次方成正比。也就是說，能夠使用過驅(qū)動(dòng)電壓來計(jì)算飽和區(qū)的電流。
3）如果能夠更加深入理解的話，可以領(lǐng)悟到過驅(qū)動(dòng)電壓不單單適用于指代Vgs，也適用于指代Vgd。
即
Vod1=Vgs-Vth；
Vod2=Vds-Vth；
如果兩種Vod都大于零，說明晶體管溝道全開，也就是處于線性區(qū)。只有一種Vod大于零，說明晶體管溝道半開（在DS任意一端沒打開有夾斷），也就是處于飽和區(qū)。
MOS管驅(qū)動(dòng)電壓 閾值電壓受襯偏效應(yīng)的影響，即襯底偏置電位，du零點(diǎn)五微米工藝水平下一階mos spice模型的標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓為nmos0.7v pmos負(fù) 0.8，過驅(qū)動(dòng)電壓為Vgs減Vth。
MOS管，當(dāng)器件由耗盡向反型轉(zhuǎn)變時(shí)，要經(jīng)歷一個(gè) Si 表面電子濃度等于空穴濃度的狀態(tài)。此時(shí)器 件處于臨界導(dǎo)通狀態(tài)，器件的柵電壓定義為閾值電壓，MOSFET的重要參數(shù)之一 。
MOS管的閾值電壓等于背柵和源極接在一起時(shí)形成溝道需要的柵極對source偏置電壓。如果柵極對源極偏置電壓小于閾值電壓，就沒有溝道。
PMOS的工作原理與NMOS相類似。因?yàn)镻MOS是N型硅襯底，其中的多數(shù)載流子是電子，少數(shù)載流子是空穴，源漏區(qū)的摻雜類型是P型。
PMOS的工作條件是在柵上相對于源極施加負(fù)電壓，亦即在PMOS的柵上施加的是負(fù)電荷電子，而在襯底感應(yīng)的是可運(yùn)動(dòng)的正電荷空穴和帶固定正電荷的耗盡層，不考慮二氧化硅中存在的電荷的影響，襯底中感應(yīng)的正電荷數(shù)量就等于PMOS柵上的負(fù)電荷的數(shù)量。
當(dāng)達(dá)到強(qiáng)反型時(shí)，在相對于源端為負(fù)的漏源電壓的作用下，源端的正電荷空穴經(jīng)過導(dǎo)通的P型溝道到達(dá)漏端，形成從源到漏的源漏電流。同樣地，VGS越負(fù)(絕對值越大)，溝道的導(dǎo)通電阻越小，電流的數(shù)值越大。
MOS管驅(qū)動(dòng)電壓
正常驅(qū)動(dòng)10-15，不要超過20V。
開啟的閾值電壓4-5V。
關(guān)斷最好有-5到-10V，或者保持低阻。
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