一、正向特性
當給二極管施加正向電壓時（對應特性曲線中橫坐標正半部分），正向電壓需要超過一定閾值，二極管才會出現明顯的正向電流，這個關鍵電壓被稱為導通電壓。在室溫條件下，硅制二極管的導通電壓（Vth）大約為0.5伏，而鍺制二極管的導通電壓（Vth）約為0.1伏。當電壓超過導通電壓后，二極管進入導通狀態。隨著流經二極管的電流增大到一定程度，二極管兩端的電壓趨于穩定。對于硅管，穩定電壓通常在0.6至0.8伏之間（一般取0.7伏作為參考值）；對于鍺管，穩定電壓大約在0.2至0.3伏之間（通常以0.2伏作為典型值）。
二、反向特性
在二極管承受反向電壓的情況下（對應特性曲線中橫坐標負半部分），在反向電壓未達到反向擊穿電壓時，由少數載流子引起的反向電流非常微弱，而且幾乎與反向電壓的大小無關，此區域被稱為截至區。從二極管的正向與反向特性可以明顯看出，二極管屬于非線性電子器件，并且具有明顯的單向導電性。
三、完整的二極管伏安特性曲線分析
二極管的完整伏安特性曲線如下圖所示（為方便展示，圖中橫坐標和縱坐標在正半軸和負半軸的尺度有所不同）。
詳細說明如下：
詳細說明如下：
當二極管處于正向偏置狀態時，若正向電壓（VD）較低，電流幾乎為零。但當VD升高到一定閾值（圖中約為0.7伏）后，電流會迅速而急劇地增長，呈現出指數級上升趨勢（通常達到毫安級別）。
在反向偏置狀態下，反向飽和電流（IS）保持在一個很小的數值（微安級別），且不隨反向偏置電壓變化。然而，當反向偏置電壓達到反向峰值電壓（PIV）時，二極管會發生反向擊穿現象，反向電流急劇增大。
上述伏安特性曲線可以用數學公式來描述，該公式被稱為肖克利方程：
二極管特性曲線
其中，IS表示反向飽和電流，一般需要查閱二極管的數據手冊才能得到，其典型值在10的-15次方到10的-13次方安培之間；
VD代表偏置電壓，正向偏置時取正值，反向偏置時取負值；
n為理想因子，取值范圍在1到2之間，通常取1；
VT是熱電壓，在常溫環境下大約為26毫伏。
雖然肖克利方程提供了計算二極管電流的理論方法，但在實際應用中，由于實際測量得到的二極管伏安特性曲線與理論計算值之間存在一定差異，我們通常不直接使用該方程進行計算。相反，工程師們更多地依賴二極管數據手冊中提供的實際數據和曲線來進行設計和分析。
四、溫度對二極管伏安特性的影響
溫度變化對二極管的伏安特性有顯著影響：
當溫度上升時，二極管的正向導通閾值電壓會降低，同時反向偏置電流會增大，反向擊穿電壓也會相應提高。
相反，當溫度下降時，正向導通閾值電壓會升高，反向偏置電流減小，反向擊穿電壓降低。
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