mosfet為什么可以并聯,mosfet并聯的注意事項介紹
并聯優勢
并聯優勢
MOSFET并聯是電子電路設計中的常見手法，并聯后可降低傳導損耗，分散功耗，限制最大結溫，提升系統散熱與可靠性表現。
并聯電流均衡原理
MOSFET導通電阻Rdson具正溫度系數，溫度升高電阻增大。并聯時，初始低Rdson的器件電流占比高，發熱多，電阻隨之上升，電流自動重分配，各器件電流趨于均衡，避免個別器件過載，保障系統穩定可靠。
并聯設計要點
直流工作與結溫控制
并聯MOSFET完全導通時，各器件電流與Rdson成反比。在相同溫度和熱阻條件下，初始低Rdson器件承載電流高、功率損耗大，溫度上升快。因Rdson正溫度系數作用，其電阻升高，電流減少，最終各器件電流分配趨于平衡，但初始低Rdson器件結溫仍最高。設計需確保所有器件結溫不超數據手冊Tjmax。
PCB布局優化
元件到外表面熱阻Rthjc是MOSFET固有屬性，設計者可改變環境溫度與元件到空氣熱阻Rthja。并聯時，要降低熱阻、統一元件參數，使功率分配均衡。PCB布局至關重要，可采用特定布局方式，如兩個或三個MOSFET并聯電路布局，確保每個器件散熱與電氣性能良好。
動態開關柵極驅動設計
動態開關時，柵極驅動電路對并聯MOSFET性能影響顯著。需保證柵極驅動電路電壓、電流滿足所有并聯元件需求。如三個元件并聯，每個需2mA驅動電流，總驅動電流至少6mA。同時，每個元件與柵極驅動電路間要串聯柵極電阻，防止柵極耦合，確保各MOSFET接收一致驅動信號，避免開關時間不一致引發功率分配不均與熱損壞。
感性負載能量泄放
并聯MOSFET驅動感性負載時，關閉瞬間負載存儲能量易沖擊器件。感性負載能量可能超MOSFET漏極-源極雪崩擊穿電壓VBRDSS，且VBRDSS有范圍值，低VBRDSS器件易先擊穿，發熱多，正溫度系數使能量分配不均致失效。解決辦法：一，確保每個MOSFET能在惡劣溫度下安全承受總雪崩電流；二，用續流二極管泄放能量，保護MOSFET，但需考慮負載要求。
均流措施
實際應用中，MOSFET并聯需重視均流問題。不均勻電流分布會導致器件過熱，影響系統性能與壽命。可采取均流電阻、優化電路設計等均流措施，確保電流均勻分布，提升并聯電路整體性能與可靠性。
〈烜芯微/XXW〉專業制造二極管，三極管，MOS管，橋堆等，20年，工廠直銷省20%，上萬家電路電器生產企業選用，專業的工程師幫您穩定好每一批產品，如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以直接聯系下方的聯系號碼或加QQ/微信，由我們的銷售經理給您精準的報價以及產品介紹
聯系號碼：18923864027（同微信）
QQ：709211280